PCIM Europe 2024,17家中國三代半企業“征戰” |
| 發布時間:2024-06-18 09:09:01 |
全球電(dian)力(li)電(dian)子行業的頂(ding)級(ji)展(zhan)會PCIM Europe 2024于6月11日盛大召開，此次參展(zhan)的中(zhong)國企(qi)業（含(han)港(gang)澳臺(tai)）數量達到了(le)(le)142家，其中(zhong)不少企(qi)業在(zai)(zai)第三(san)代半導體領域(yu)有所布局(ju)。在(zai)(zai)本屆PCIM上，中(zhong)外(wai)多(duo)家企(qi)業向世界展(zhan)示了(le)(le)SiC/GaN在(zai)(zai)電(dian)子電(dian)力(li)領域(yu)的最新技術及應用。 國內企業 本屆(jie)PCIM展會，多家國(guo)內廠商攜新品新技術亮相，如(ru)(ru)英諾賽科、三安半導(dao)體、士蘭微、基本半導(dao)體、瑞能半導(dao)體、芯聚能等，其中，部(bu)分廠商亮點匯總如(ru)(ru)下(xia)： 01、三安半導體 在(zai)本(ben)次(ci)PCIM Europe上，三安以“推動低碳(tan)化(hua)和電(dian)氣化(hua)”為主(zhu)旨，展(zhan)示其在(zai)功(gong)率(lv)半導體(ti)和寬禁帶技(ji)術方面(mian)的最(zui)新產品如何(he)賦(fu)能綠色低碳(tan)和電(dian)氣化(hua)轉型。 
source：PCIM 三(san)安通過(guo)展(zhan)出豐富(fu)的(de)功(gong)率產(chan)品(pin)矩陣，全面(mian)展(zhan)示了其(qi)強大的(de)垂直整合(he)產(chan)業鏈，從(cong)批(pi)量SiC晶(jing)錠生長到一流(liu)的(de)分立封(feng)(feng)裝、集成模塊解決方案和應用。產(chan)品(pin)與服務覆蓋8吋(cun)(cun)(cun)(cun)/6吋(cun)(cun)(cun)(cun)SiC晶(jing)錠、8吋(cun)(cun)(cun)(cun)/6吋(cun)(cun)(cun)(cun)SiC襯底(di)、8吋(cun)(cun)(cun)(cun)/6吋(cun)(cun)(cun)(cun)SiC外延、SiC Diodes/MOSFETs芯片/器件以及(ji)車規級SiC功(gong)率模塊代工，其(qi)中器件包含十余(yu)種封(feng)(feng)裝類型和數十個規格(ge)型號(hao)的(de)產(chan)品(pin)。 02、英諾賽科 英諾賽科在PCIM展會上展示多樣(yang)化(hua)(hua)(hua)分(fen)立氮化(hua)(hua)(hua)鎵和集成氮化(hua)(hua)(hua)鎵產品(pin)，以及基于高性能氮化(hua)(hua)(hua)鎵的多種解決方案。 英諾賽科展(zhan)示了多形態(tai)產品組合(he)，包含30V-700V的氮(dan)化(hua)鎵分立芯(xin)片(pian)(pian)、氮(dan)化(hua)鎵合(he)封芯(xin)片(pian)(pian)（SolidGaN）和雙向(xiang)導通芯(xin)片(pian)(pian)（V-GaN）。同時也將采用InnoGaN的多領域應用解決方案(an)一(yi)一(yi)呈現，展(zhan)示氮(dan)化(hua)鎵技術帶來的進步，讓電(dian)源轉(zhuan)換和電(dian)源管理解決方案(an)“更(geng)快，更(geng)小，更(geng)輕(qing)，更(geng)環(huan)保，更(geng)高效，性價(jia)比更(geng)高”。 
source：英諾(nuo)賽科 03、士蘭微電子 士蘭微此次(ci)全面展示車規級功(gong)率器件、驅動(dong)和(he)控制(zhi)芯片(pian)產品(pin)(pin)，以(yi)及多種應用(yong)于汽(qi)車、新能(neng)源、白電(dian)、工業(ye)等領域的產品(pin)(pin)和(he)應用(yong)方案。 
source：PCIM 04、基本半導體 基(ji)本半導體此(ci)次(ci)在(zai)展會上，正式發布(bu)2000V/1700V系(xi)列(lie)高壓碳(tan)化硅MOSFET、車(che)規級碳(tan)化硅MOSFET、第(di)三代碳(tan)化硅MOSFET、工(gong)業(ye)級碳(tan)化硅功(gong)率模塊PcoreTM2 E2B等系(xi)列(lie)新品。 
source：PCIM 05、派恩杰半導體 此次展(zhan)會上，派(pai)恩杰半導(dao)體帶來(lai)了最新車規級(ji)封裝(zhuang)產(chan)品(pin)及更小的(de)比導(dao)通電阻展(zhan)品(pin)。 
source：派恩杰半導體 派恩杰半導體推出的Easy 1B、62mm和SOT227封(feng)裝系列產品，涵蓋多種電路拓(tuo)撲，SiC MOSFET和SiCSBD模塊(kuai)產品，可應用于(yu)光(guang)伏發電、白色(se)家電、射頻電源(yuan)等領域。 此外，結(jie)合銀燒結(jie)和CuClip鍵(jian)合技術(shu)，派(pai)恩杰半導體自主開發(fa)了車規級塑封半橋HEPACK封裝，可(ke)有效降低新能源汽車能耗等級。 對(dui)于HPD模(mo)塊(kuai)(kuai)，引入(ru)了銀燒結和DTS技術，派恩(en)杰半導體正(zheng)積極(ji)布局1200V600A乃至800A高(gao)功率模(mo)塊(kuai)(kuai)。 06、瑞能半導體 瑞能(neng)半導體展出(chu)的(de)產品陣容涵蓋了瑞能(neng)最(zui)新的(de)高(gao)性能(neng)、高(gao)效(xiao)率(lv)(lv)、高(gao)功率(lv)(lv)的(de)技術，以及(ji)諸如1200V碳(tan)化硅功率(lv)(lv)模塊、650V / 1200V SiC MOSFET、快恢復二極管、可控硅整流器、IGBT和其他可應用于工(gong)業，汽車，消費電子等領域的(de)功率(lv)(lv)器件。 
source：PCIM SiC產品中(zhong)，全新(xin)系(xi)列(lie)的SiC MOSFET & SiC肖特基二極管 (SBD) 采用(yong) TSPAK 封裝的，適用(yong)于電(dian)(dian)動(dong)汽車(che)(che)充電(dian)(dian)、車(che)(che)載充電(dian)(dian)器(qi) (OBC)、光伏(fu)逆變器(qi)和高功率密度PSU應用(yong)。新(xin)型(xing)(xing)MOSFET有650V、750V、1200V和1700V四(si)種(zhong)型(xing)(xing)號，電(dian)(dian)阻范(fan)圍(wei)從20mΩ到150mΩ。新(xin)型(xing)(xing)SiC SBD的電(dian)(dian)流范(fan)圍(wei)為10至40A（650V、750V和1200V）。 全新(xin)SiC功率(lv)模塊(kuai)包含半橋、四(si)組、六組、雙增壓和(he)NPC 3L拓(tuo)撲的 SiC 功率(lv)模塊(kuai)，主(zhu)要針對(dui)于電(dian)動(dong)汽車(che)充(chong)電(dian)、儲能(neng)系統、電(dian)機驅動(dong)器、工業電(dian)源裝置(zhi) (PSU)、測試(shi)儀器和(he)光伏逆變器。 瑞能(neng)半導體(ti)全新的1700V SiC 技術(shu)& 汽(qi)車(che)級(ji)1200V / 750V車(che)規SiC MOSFET提(ti)供(gong)多種封裝選項和(he)產品配置，包括表面(mian)貼裝器件(jian) (SMD) 分立器件(jian)和(he)頂部冷(leng)卻，實現可再生能(neng)源和(he)電(dian)動汽(qi)車(che)的高功率、高密(mi)度設計。 07、中車時代半導體
中車時代半導體攜多款功率半導體元件及模塊、傳感器產品隆重亮相PCIM Europe德國紐倫堡展會。 
source：PCIM 08、安世半導體 在功率場效應晶體管(FET)方面，Nexperia展示了首款H橋配置(zhi)的SMD SiC MOSFET，產品(pin)展現出卓越的R DS(on)溫度(du)穩定性；以及用于對E型GaN FET開(kai)關性能進(jin)行基(ji)準測(ce)試的半(ban)橋評估板。 
source：PCIM 09、芯聚能半導體 芯(xin)聚能車規(gui)級(ji)模塊(kuai)為(wei)800V新(xin)能源汽(qi)車平臺進(jin)一步(bu)釋放了(le)(le)SiC高溫(wen)高速特性，實現了(le)(le)超(chao)低(di)熱阻、拓展了(le)(le)工作范圍；具有(you)高機械結構(gou)強度(du)、高功率循環壽命(ming)、高溫(wen)度(du)沖擊(ji)穩定性。 
source：PCIM 10、忱芯科技 忱芯(xin)科技展出(chu)業內(nei)領先的SiC動態(tai)測(ce)(ce)(ce)試(shi)系(xi)統(tong)以(yi)及動態(tai)可(ke)靠(kao)性(xing)測(ce)(ce)(ce)試(shi)系(xi)統(tong)，并提供現場的測(ce)(ce)(ce)試(shi)演示(shi)。公司也已推出(chu)用于CP階段和(he)KGD階段測(ce)(ce)(ce)試(shi)的晶(jing)圓級動態(tai)可(ke)靠(kao)性(xing)(WLR)測(ce)(ce)(ce)試(shi)系(xi)統(tong)及裸芯(xin)片KGD測(ce)(ce)(ce)試(shi)系(xi)統(tong)。 
source：PCIM 11、利普思半導體 PCIM Europe 2024現(xian)場，利(li)普思發布了(le)新一代主驅用塑封(feng)半橋SiC模塊（LPS-Pack系列(lie)(lie)）。據悉，該(gai)系列(lie)(lie)模塊是(shi)為滿足某海外知名車(che)企差異化需求而開發的新品(pin)。 
source：利(li)普思(si) 12、安建科技 此次展(zhan)會上(shang)安建展(zhan)出(chu)的產品陣(zhen)容涵蓋了(le)IGBT、SGT MOSFET、SiC和(he)其他可用于(yu)電能轉(zhuan)換、電動(dong)汽車(che)、消費(fei)電子、新能源和(he)工業(ye)自動(dong)化等領(ling)域的多款功率器(qi)件(jian)。 
source：PCIM 13、賽晶科技 賽晶SiC芯片首次亮相PCIM Europe，芯片采用(yong)(yong)頂部金(jin)屬化，以便進(jin)行鍵合或者(zhe)DTS，靜態性(xing)(xing)(xing)能(neng)匹配先進(jin)的(de)汽車MOSFET產(chan)品性(xing)(xing)(xing)能(neng)需求(qiu)，動態開關性(xing)(xing)(xing)能(neng)適用(yong)(yong)于EVD和HEEV模(mo)塊的(de)應(ying)用(yong)(yong)，具有高可靠性(xing)(xing)(xing)、高魯棒(bang)性(xing)(xing)(xing)。 
source：賽晶科(ke)技 14、富樂華半導體 富樂華攜(xie)手富樂華歐(ou)洲團隊、日本團隊對功率半導體行(xing)業(ye)的封裝基(ji)板做了(le)全(quan)方位的展示，分享(xiang)了(le)公司最新的創新型產(chan)品和(he)技術解決方案(an)，產(chan)品陣容涵蓋了(le)適用于IGBT、SiC-MOSFET和(he)其他可用于電動(dong)汽車、消費電子、新能源和(he)工業(ye)自動(dong)化(hua)等領域的覆銅陶瓷基(ji)板。 
source：PCIM 15、卓爾半導體 卓爾(er)半導體專注于研發碳化(hua)硅塑封模(mo)塊專用設備，主(zhu)營(ying)芯片分選機(ji)、塑封自動化(hua)、切筋成型、激(ji)光(guang)去(qu)膠打標(biao)等。 
source：PCIM 16、飛仕得科技 本次展(zhan)會(hui)飛仕得展(zhan)出(chu)SiC應用一站式解決方(fang)(fang)案(an)(an)，包括電(dian)源(yuan)、驅(qu)動解決方(fang)(fang)案(an)(an)、功率模組及測(ce)試設備。并發布(bu)新(xin)一代(dai)多并聯驅(qu)動解決方(fang)(fang)案(an)(an)、新(xin)一代(dai)SiC器件動態測(ce)試設備等多款新(xin)品。 
source：PCIM 17、悉智科技 悉智科技(ji)此(ci)次帶來旗下SiC封裝產品(pin)出席展會，其(qi)中自主研發的塑封SiC DCM模塊獲(huo)得海外客戶關注(zhu)。 
source：悉智科技 國外企業 海外(wai)市(shi)場(chang)方面(mian)， Wolfspeed、羅(luo)姆、英飛凌、三菱(ling)電機(ji)、納微半導體、CGD等悉(xi)數亮(liang)(liang)相(xiang)，看(kan)點(dian)頗多，部分企業的亮(liang)(liang)點(dian)匯總如下： 18、Wolfspeed Wolfspeed多位(wei)工(gong)程師(shi)在PCIM Europe 2024上發表演講，內容涵蓋電(dian)動(dong)汽車電(dian)氣(qi)化、電(dian)動(dong)汽車實現、可再生能源賦能到電(dian)機(ji)驅動(dong)以及公司最新的SiC技術(shu)。 
source：PCIM 19、羅姆 ROHM向外(wai)展示了其新的功率(lv)半導(dao)體解(jie)決方案。ROHM的SiC、Si和(he)GaN產(chan)品組合專注于電(dian)(dian)動汽(qi)車和(he)電(dian)(dian)源應用(yong)，旨(zhi)在(zai)滿(man)足各個行業的需(xu)求(qiu)。 
source：PCIM SiC方面，ROHM在PCIM Europe 2024上首(shou)次推出用(yong)于汽(qi)車應用(yong)的新(xin)型SiC 功率模塊。除此之(zhi)外，ROHM 還展(zhan)示了(le)其生產的8英(ying)寸SiC 晶圓(yuan)，并透露了(le)有(you)關其SiC產品(pin)開發的愿(yuan)景。 ROHM的(de)第四(si)代SiC MOSFET實(shi)現了業界領(ling)先的(de)低導(dao)通電阻水平，最(zui)大(da)限度地(di)降低了開關(guan)損耗，并支持15V和(he)18V柵極源電壓。 GaN方(fang)面，ROHM展示(shi)了EcoGaN?系列(lie)150V和650V GaN HEMT。ROHM還展示(shi)其EcoGaN? 系列(lie)的10多(duo)塊電路板，并介紹(shao)它們在工(gong)業解決方(fang)案中的作用。 20、英飛凌 英飛凌此次(ci)向外展(zhan)示了業界廣(guang)泛的電(dian)力電(dian)子產品組合，涵蓋硅 (Si)、碳化(hua)硅 (SiC) 和氮化(hua)鎵 (GaN) 相關的電(dian)力技(ji)術。 
source：PCIM
寬帶隙技術方面：英飛凌展示了可用于提高整體能源效率的第二代CoolSiC? MOSFET 650V和1200V。此外，其還展示擴展的GaN解決方案組合，提供各種創新封裝、分立和集成解決方案。 21、意法半導體 此(ci)次(ci)意法(fa)半導(dao)體帶來了GaN在(zai)電源中的(de)應(ying)用方案(an)、SiC MOSFET、SiC功率模塊(kuai)、SiC電源模塊(kuai)等產品。 
source：PCIM 22、賀利氏 賀利氏(shi)在展會上(shang)向外呈(cheng)現(xian)PE360模塊(kuai)焊接燒(shao)結(jie)漿料(liao)和無銀(yin)活(huo)性金屬釬焊氮化硅基(ji)板（AMB-Si3N4）等(deng)尖端創新產(chan)品，并(bing)展示旗下(xia)功率(lv)模塊(kuai)封裝方(fang)案(an)。 
source：PCIM 23、納微半導體 納(na)微半(ban)導體此(ci)次主要技術(shu)更新和發布包括(kuo)GaNSafe?、Gen-4 GaNSense?半(ban)橋IC和Gen-3 Fast GeneSiC功率(lv)FET。 
source：PCIM 24、PI電源 PI電(dian)源分(fen)享其(qi)在AC-DC轉換、柵極(ji)驅動(dong)器、電(dian)機驅動(dong)器和汽車解決(jue)方(fang)案方(fang)面的最新創(chuang)新。 
source：PCIM 25、IV Works 在(zai)此次(ci)展會(hui)上，IV Works向外(wai)展示了GaN作為高壓應用解決方案的材料(liao)創(chuang)新以及n+GaN、p-GaN選擇性區域(yu)再生技(ji)術。 
source：PCIM 結語 本(ben)次PCIM上(shang)，能明(ming)顯感(gan)受到國內出海企(qi)業增多(duo)，從側面(mian)反映(ying)出不少三代半企(qi)業已將目光從國內市(shi)場轉移至全球市(shi)場。對于(yu)國內三代半廠商而言，國內業務發展到一(yi)定階段，出海尋(xun)求更(geng)廣(guang)闊(kuo)的(de)增長空間順(shun)理成章，尤其(qi)是在技術、產能等方面(mian)擁有一(yi)定的(de)實力后，拓展海外市(shi)場也更(geng)加從容。 隨著國內三代半企業(ye)的(de)出海動作開展(zhan)，競爭更(geng)加(jia)(jia)激(ji)烈的(de)同時，行業(ye)會更(geng)加(jia)(jia)多元化(hua)，產業(ye)業(ye)務整合的(de)步伐也將加(jia)(jia)快，有助于(yu)推動行業(ye)的(de)全(quan)球化(hua)發展(zhan)和技術(shu)進步。（轉載：來源：PCIM官方、各公司、集邦(bang)化(hua)合物(wu)半導(dao)體(ti)整理） |
