目前最(zui)具發(fa)展潛力的材料即為(wei)具備高功(gong)率及高頻(pin)率特性(xing)的寬禁帶(dai)（Wide Band Gap；WBG）半導體，包含碳化硅(gui)（SiC）與氮(dan)化鎵（GaN），主(zhu)要應用大宗為(wei)電動車、快充市場(chang)。據TrendForce集邦(bang)咨(zi)詢研究(jiu)推估，第(di)三代功(gong)率半導體產值(zhi)將(jiang)(jiang)從(cong)2021年(nian)(nian)的9.8億，至2025年(nian)(nian)將(jiang)(jiang)成(cheng)長至47.1億，年(nian)(nian)復合成(cheng)長率達48%。

SiC適合(he)高功(gong)率(lv)應用，如(ru)儲能、風電、光伏、電動(dong)車、新(xin)能源車等對(dui)電池(chi)系(xi)統(tong)(tong)具高度要求的產業。其中，電動(dong)車備受(shou)市場關(guan)注，不(bu)過目(mu)前市售電動(dong)車所(suo)搭載(zai)的功(gong)率(lv)半導(dao)體多數(shu)為硅基材料（Si base），如(ru)Si IGBT、Si MOSFET，但由于(yu)電動(dong)車電池(chi)動(dong)力系(xi)統(tong)(tong)逐(zhu)步往(wang)800V以上的高電壓發展，相較于(yu)Si，SiC在(zai)高壓的系(xi)統(tong)(tong)中有更(geng)好(hao)的性(xing)能體現，有望(wang)逐(zhu)步替(ti)代部(bu)分Si base設計，大幅提高汽車性(xing)能并優化(hua)整(zheng)車架構，預(yu)估(gu)SiC功(gong)率(lv)半導(dao)體至(zhi)2025年可達33.9億美(mei)元。

GaN適合高頻率應用，包(bao)括通訊裝置，以及用于手機、平(ping)板(ban)、筆電的快(kuai)(kuai)充(chong)。相較于傳統快(kuai)(kuai)充(chong)，GaN快(kuai)(kuai)充(chong)擁有更(geng)(geng)大的功(gong)率密度(du)，故充(chong)電速度(du)更(geng)(geng)快(kuai)(kuai)，且體(ti)積更(geng)(geng)小(xiao)便于攜(xie)帶，吸引(yin)不少OEM、ODM業者加(jia)入而(er)開始高速發(fa)展，預估GaN功(gong)率半導(dao)體(ti)至(zhi)2025年可(ke)達13.2億美(mei)元(yuan)。

相較傳(chuan)統(tong)Si base，第三代功(gong)率半(ban)導(dao)體襯(chen)(chen)底(di)制造(zao)難度較高(gao)且(qie)成本較為(wei)昂(ang)貴，目前在各大襯(chen)(chen)底(di)供應商(shang)的開(kai)發(fa)下，包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等業者陸續擴增(zeng)產能，并將在2022下半(ban)年量(liang)產8吋(cun)襯(chen)(chen)底(di)，預(yu)期第三代功(gong)率半(ban)導(dao)體未來幾年產值仍有成長(chang)的空間。