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UVled燈珠與以往(wang)的UV光源(yuan)相(xiang)比(bi)，具(ju)有(you)對環境(jing)好、低消耗(hao)功率、頻帶選(xuan)擇等(deng)優(you)點(dian)。UVled燈珠如果適用(yong)于印刷(shua)行業，可(ke)靠性問題往(wang)往(wang)會面(mian)臨特別顯著(zhu)的多方面(mian)課題。有(you)機材料具(ju)有(you)耐UV性能較差透濕透氧率的高特性，其性能的劣化大大降低UVled燈珠的可(ke)靠性。

1960年代(dai)，最初的(de)UV硬(ying)化(hua)墨水登場了。UV隨著硬(ying)化(hua)技術(shu)的(de)快速發展，在(zai)印(yin)(yin)刷行業中，一般采(cai)用(yong)數字印(yin)(yin)刷、鋼網印(yin)(yin)刷、平板印(yin)(yin)刷、柔性板印(yin)(yin)刷、凹印(yin)(yin)等硬(ying)化(hua)墨，與(yu)此一致UV硬(ying)化(hua)光源(yuan)多采(cai)用(yong)紫外(wai)汞燈等以往(wang)的(de)光源(yuan)。但是，以前(qian)的(de)紫外(wai)光源(yuan)為了保護環(huan)境(jing)在(zai)越來(lai)越多的(de)國(guo)家(jia)被限制使用(yong)，由此紫外(wai)發光二極管Ultra-Violet Light Emitting Diode、UV led的(de)市(shi)場規模急速增加(jia)。

與以往紫(zi)外(wai)光源相比，UVled燈珠(zhu)具有節能環保、壽(shou)命長、消耗功率低、波(bo)(bo)長可選等許多優點。根據(ju)發(fa)(fa)光波(bo)(bo)長的大小，UV led被分為(wei)(wei)長波(bo)(bo)紫(zi)外(wai)線(xian)(xian)(xian)UVA（315~400nm）、中波(bo)(bo)紫(zi)外(wai)線(xian)(xian)(xian)UVB（280~3315nm）、短波(bo)(bo)紫(zi)外(wai)線(xian)(xian)(xian)UVC（200~208nm）。一(yi)般來說，發(fa)(fa)光波(bo)(bo)長大于(yu)(yu)300nm的屬于(yu)(yu)淺紫(zi)外(wai)線(xian)(xian)(xian)，不(bu)足300nm的屬于(yu)(yu)深紫(zi)外(wai)線(xian)(xian)(xian)。根據(ju)封裝(zhuang)方案和(he)集成度(du)，UVled燈珠(zhu)可以如(ru)表1所示(shi)被劃分為(wei)(wei)立體設備和(he)集成模(mo)塊。這里，集成模(mo)塊可以分為(wei)(wei)COB（Chip On Board）和(he)DOB（Device On Board）。COB是將(jiang)多個(ge)LED芯(xin)片直接焊(han)接在(zai)(zai)一(yi)個(ge)基板上(shang)，DOB是首先將(jiang)LED芯(xin)片封裝(zhuang)在(zai)(zai)設備內，然后(hou)將(jiang)多個(ge)設備焊(han)接在(zai)(zai)一(yi)個(ge)基板上(shang)。

作為(wei)新興光(guang)(guang)源(yuan)(yuan)，UVled燈珠(zhu)是UV對能量的有機材質暴(bao)露而(er)產生的光(guang)(guang)解1、UV由于硬(ying)化墨水的過暴(bao)露而(er)導致(zhi)(zhi)的墨表面硬(ying)度和(he)曝(pu)光(guang)(guang)量不(bu)足所導致(zhi)(zhi)的粘著力不(bu)足1、有害物質的侵(qin)(qin)入UV由于侵(qin)(qin)入硬(ying)化光(guang)(guang)源(yuan)(yuan)內(nei)部而(er)導致(zhi)(zhi)的光(guang)(guang)源(yuan)(yuan)失效(xiao)(xiao)、UV硬(ying)化光(guang)(guang)源(yuan)(yuan)和(he)UV硬(ying)化墨的帶匹(pi)配、UV硬(ying)化光(guang)(guang)源(yuan)(yuan)的出光(guang)(guang)均勻性(xing)(xing)和(he)出光(guang)(guang)效(xiao)(xiao)率，以及UV硬(ying)化光(guang)(guang)源(yuan)(yuan)的壽命、穩定性(xing)(xing)和(he)可靠性(xing)(xing)等(deng)。

現(xian)在，各LED封裝公司的(de)(de)包裝技術的(de)(de)水平(ping)不同(tong)，市售的(de)(de)UV LED光(guang)源種類多(duo)，質量有偏差，由此(ci)(ci)，光(guang)源產生了各種可靠性的(de)(de)問題，所以應(ying)用端常常受到損失。因此(ci)(ci)，從UV led分(fen)立元件和UVled燈珠(zhu)(zhu)集成(cheng)模塊兩方面對印刷行(xing)業應(ying)用中UVled燈珠(zhu)(zhu)的(de)(de)可靠性進(jin)行(xing)了研究和討論。

基于CMH封裝技術的(de)全無機(ji)UVled燈珠100%采(cai)用無機(ji)材(cai)料包(bao)裝，具有密封性(xing)好、可(ke)靠性(xing)高(gao)、壽(shou)命長、熱阻低等優(you)點。COB和(he)DOB模塊根據包(bao)裝種類和(he)制造過程的(de)不(bu)同，性(xing)能和(he)可(ke)靠性(xing)有很(hen)大(da)差異。基板(ban)絕緣(yuan)層的(de)熱阻對COB全熱阻的(de)比例非常(chang)大(da)，焊接相互連接層對DOB的(de)熱阻有很(hen)大(da)的(de)影響。

UVled燈珠離(li)散設備

根(gen)據封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)材(cai)(cai)料(liao)，UVled燈珠分(fen)立裝(zhuang)置可(ke)以分(fen)為有機材(cai)(cai)料(liao)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)UVled燈珠和無機材(cai)(cai)料(liao)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)UVled燈珠。有機材(cai)(cai)料(liao)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)UV led采(cai)用UV led在芯片上(shang)涂覆環氧樹(shu)脂、有機硅膠(jiao)等有機封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)材(cai)(cai)料(liao)2、UVled燈珠作為設備(bei)的(de)碗杯(bei)而(er)采(cai)用有機材(cai)(cai)料(liao)、或采(cai)用例如(ru)市(shi)售的(de)EMC系列產品的(de)可(ke)見(jian)光LED設備(bei)的(de)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)方(fang)式。

另一方(fang)面(mian)(mian)，無(wu)(wu)機(ji)材(cai)料(liao)包(bao)裝UVled燈(deng)珠一般將(jiang)(jiang)陶(tao)瓷改良為(wei)將(jiang)(jiang)碗杯、玻璃或金屬玻璃作為(wei)蓋板的(de)包(bao)裝方(fang)式。在(zai)材(cai)料(liao)特性(xing)方(fang)面(mian)(mian)，有(you)(you)機(ji)材(cai)料(liao)和無(wu)(wu)機(ji)材(cai)料(liao)有(you)(you)很(hen)大(da)的(de)不同(tong)，當兩種材(cai)料(liao)應用于(yu)UV led封(feng)裝時，對器(qi)件(jian)整(zheng)體的(de)性(xing)能、壽命、可(ke)靠性(xing)等(deng)的(de)影響也有(you)(you)很(hen)大(da)的(de)不同(tong)。為(wei)了便于(yu)論述，有(you)(you)機(ji)材(cai)料(liao)以有(you)(you)機(ji)硅膠為(wei)代表(biao)，無(wu)(wu)機(ji)材(cai)料(liao)以玻璃為(wei)代表(biao)，兩者在(zai)以下幾點(dian)進行(xing)比較。

（1）UVled燈珠熱特性(xing)

在有(you)(you)機材(cai)(cai)料(liao)(liao)包裝UVled燈珠中，有(you)(you)機材(cai)(cai)料(liao)(liao)不僅(jin)受到來自芯片的紫(zi)外線照(zhao)射，還(huan)受到芯片的熱(re)的影響。特別(bie)是直接涂(tu)在芯片表面的有(you)(you)機材(cai)(cai)料(liao)(liao)，芯片表面的高熱(re)通(tong)過熱(re)導方(fang)式直接傳(chuan)遞(di)給有(you)(you)機材(cai)(cai)料(liao)(liao)，使得有(you)(you)機材(cai)(cai)料(liao)(liao)在長時間高溫下(xia)工作(zuo)。高溫會加速有(you)(you)機材(cai)(cai)料(liao)(liao)的熱(re)老化(hua)，所采用(yong)的有(you)(you)機材(cai)(cai)料(liao)(liao)的耐熱(re)性能不好(hao)的話(hua)容易發(fa)生黃化(hua)現象，嚴重的情況下(xia)還(huan)會發(fa)生碳化(hua)（變黑）和裂(lie)紋等異常。

在設備長期(qi)處(chu)于開關或高(gao)低(di)溫循(xun)環(huan)狀態(tai)的(de)情況下，芯(xin)(xin)片與(yu)有機材(cai)料的(de)熱膨脹系數CTE、Coefficient ofThermal Expansion）不一致，因此(ci)芯(xin)(xin)片與(yu)有機材(cai)料的(de)粘(zhan)接(jie)部容易發(fa)生剝離異常。黃化和剝離等異常降低(di)了元件的(de)光輸出和可靠性(xing)。

為(wei)了(le)考察(cha)有(you)機(ji)材料(liao)(liao)和(he)無機(ji)材料(liao)(liao)的(de)(de)耐熱性(xing)能，將甲基(ji)硅(gui)(gui)(gui)膠(jiao)(jiao)、苯基(ji)硅(gui)(gui)(gui)膠(jiao)(jiao)和(he)玻璃同時(shi)放入260°C的(de)(de)烤箱(xiang)中進行燒制。在外(wai)觀檢查中，苯基(ji)硅(gui)(gui)(gui)膠(jiao)(jiao)第3天發(fa)現明顯的(de)(de)黃化(hua)，第7天沒(mei)有(you)發(fa)現明顯的(de)(de)黃化(hua)，但發(fa)現裂紋異常(chang)，玻璃上沒(mei)有(you)明顯的(de)(de)異常(chang)。苯基(ji)硅(gui)(gui)(gui)膠(jiao)(jiao)的(de)(de)黃化(hua)是(shi)(shi)因為(wei)在高溫(wen)和(he)氧(yang)氣環境下，分支鏈的(de)(de)苯基(ji)被氧(yang)化(hua)，而甲基(ji)硅(gui)(gui)(gui)膠(jiao)(jiao)的(de)(de)開裂是(shi)(shi)由于高溫(wen)導致(zhi)的(de)(de)斷結合。因為(wei)玻璃的(de)(de)主要成分是(shi)(shi)二氧(yang)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)，所以其化(hua)學穩定性(xing)非(fei)常(chang)優秀(xiu)。發(fa)現玻璃的(de)(de)耐熱性(xing)比有(you)機(ji)硅(gui)(gui)(gui)膠(jiao)(jiao)具有(you)非(fei)常(chang)大的(de)(de)優點(dian)。

圖1的典型的有機材料和無機材料的UV照(zhao)射前后(hou)的透過率

（2）UV led燈珠透過率(lv)

芯片(pian)出射路徑上的(de)(de)封裝(zhuang)材料(liao)(liao)在(zai)UV頻帶的(de)(de)透(tou)過(guo)率(lv)中(zhong)直接影響UVled燈珠的(de)(de)光(guang)輸出。材料(liao)(liao)UV帶寬(kuan)的(de)(de)透(tou)過(guo)率(lv)越高(gao)UVled燈珠的(de)(de)光(guang)輸出越高(gao)。由于材料(liao)(liao)特性不同(tong)，不同(tong)的(de)(de)材料(liao)(liao)在(zai)相(xiang)同(tong)UV頻帶的(de)(de)透(tou)過(guo)率(lv)中(zhong)有(you)很大的(de)(de)差異。如(ru)如(ru)圖所示，在(zai)紫(zi)外(wai)波段的(de)(de)整個波長(chang)中(zhong)，有(you)機硅膠(jiao)（甲基硅膠(jiao)和(he)苯(ben)基硅膠(jiao)）的(de)(de)初始透(tou)過(guo)率(lv)相(xiang)對于玻璃不占優勢。

另外(wai)(wai)，隨(sui)著波長(chang)的(de)(de)(de)減小，有(you)(you)機(ji)硅膠和玻璃的(de)(de)(de)初始(shi)透(tou)過(guo)(guo)(guo)率(lv)下(xia)降到不同程度(du)，有(you)(you)機(ji)材料的(de)(de)(de)初始(shi)透(tou)過(guo)(guo)(guo)率(lv)比(bi)玻璃的(de)(de)(de)降低速度(du)快得多。在(zai)(zai)300nm處，甲基硅膠的(de)(de)(de)初始(shi)透(tou)過(guo)(guo)(guo)率(lv)小于85%，對芯片的(de)(de)(de)光輸(shu)出有(you)(you)很大(da)影(ying)響，所以不適用于低帶(dai)(dai)寬紫外(wai)(wai)波段。另外(wai)(wai)，將有(you)(you)機(ji)硅膠以及玻璃在(zai)(zai)365 nmUV光中暴露24小時后，有(you)(you)機(ji)硅膠在(zai)(zai)UV頻帶(dai)(dai)的(de)(de)(de)透(tou)過(guo)(guo)(guo)率(lv)中大(da)幅降低，但玻璃的(de)(de)(de)透(tou)過(guo)(guo)(guo)率(lv)幾(ji)乎(hu)沒(mei)有(you)(you)變化(hua)。紫外(wai)(wai)波段、玻璃的(de)(de)(de)初始(shi)透(tou)過(guo)(guo)(guo)率(lv)、以及UV的(de)(de)(de)老化(hua)后的(de)(de)(de)透(tou)過(guo)(guo)(guo)率(lv)比(bi)有(you)(you)機(ji)硅膠優(you)秀。

（3）UVled燈珠可靠(kao)性測試(shi)

根據研(yan)究(jiu)，有(you)機材料長時(shi)間UV照射會產生(sheng)光解（有(you)氧環境下(xia)的光氧化）1，發(fa)生(sheng)老化和黃化現象3，嚴(yan)重的情況(kuang)下(xia)會發(fa)生(sheng)開(kai)裂(lie)4，元件的光效(xiao)率(lv)和可(ke)靠性(xing)(xing)大幅下(xia)降，最終(zhong)導致失(shi)效(xiao)，這種現象在深度紫(zi)外波段尤其(qi)嚴(yan)重。為(wei)了(le)評價UVled燈珠(zhu)的可(ke)靠性(xing)(xing)等(deng)級或封裝材料的耐UV性(xing)(xing)能，通常進行一系列(lie)的可(ke)靠性(xing)(xing)測(ce)試。

以常溫老化測試為例，在常溫條件下同時點亮玻璃(li)封裝和甲基硅膠(jiao)封裝UV led（芯片帶395nm），對每個48H進行輻射束檢測和外觀(guan)觀(guan)察(cha)。

如如圖2所示，玻(bo)璃封裝的(de)(de)(de)(de)UVled燈(deng)珠的(de)(de)(de)(de)放射(she)線束隨著老化(hua)(hua)時間(jian)的(de)(de)(de)(de)增加(jia)而逐漸減少，528H點亮時的(de)(de)(de)(de)放射(she)線束約為老化(hua)(hua)前的(de)(de)(de)(de)93.1%，外(wai)觀沒有明顯(xian)變化(hua)(hua)。另一方面，甲(jia)基硅(gui)膠(jiao)封裝UV led的(de)(de)(de)(de)輻射(she)束在老化(hua)(hua)初(chu)期(qi)開(kai)始(shi)大幅下降(jiang)，但在外(wai)觀上看不到(dao)明顯(xian)的(de)(de)(de)(de)異常，主要原因是甲(jia)基硅(gui)膠(jiao)透(tou)過率的(de)(de)(de)(de)降(jiang)低(di)以及芯片老化(hua)(hua)特性(xing)（老化(hua)(hua)初(chu)期(qi)輻射(she)束值的(de)(de)(de)(de)降(jiang)低(di)很快(kuai)）。隨著老化(hua)(hua)時間(jian)的(de)(de)(de)(de)延長，輻射(she)通(tong)量(liang)的(de)(de)(de)(de)降(jiang)低(di)速度開(kai)始(shi)變小，在外(wai)觀檢測中，在硅(gui)膠(jiao)內(nei)部出現裂縫(feng)（主要分布在芯片附近），在硅(gui)膠(jiao)和(he)芯片的(de)(de)(de)(de)粘結界面出現剝(bo)離如圖3（左側(ce)）表(biao)示。

甲(jia)基硅(gui)膠(jiao)(jiao)裂紋的(de)(de)(de)(de)(de)出現表(biao)明發(fa)生了斷開(kai)鍵，剝離異常是(shi)由于(yu)硅(gui)膠(jiao)(jiao)和芯片(pian)熱膨脹系(xi)數的(de)(de)(de)(de)(de)不匹配。從(cong)老(lao)化336H左右(you)開(kai)始，甲(jia)基硅(gui)膠(jiao)(jiao)封(feng)裝(zhuang)UV led的(de)(de)(de)(de)(de)放射線(xian)束(shu)的(de)(de)(de)(de)(de)降(jiang)低速度也(ye)顯著增大，528H下的(de)(de)(de)(de)(de)放射線(xian)束(shu)約(yue)為老(lao)化前(qian)的(de)(de)(de)(de)(de)63.4%。此時(shi)，在外觀檢(jian)測(ce)中，芯片(pian)正上方的(de)(de)(de)(de)(de)硅(gui)膠(jiao)(jiao)有明顯的(de)(de)(de)(de)(de)裂縫（（如圖三（右(you)）所示），這是(shi)輻射通量加速降(jiang)低的(de)(de)(de)(de)(de)主要原(yuan)因。如果UVled燈珠的(de)(de)(de)(de)(de)壽命被定(ding)義(yi)為放射線(xian)束(shu)降(jiang)低到初始值(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)70%的(de)(de)(de)(de)(de)時(shi)間，則(ze)硅(gui)膠(jiao)(jiao)封(feng)裝(zhuang)的(de)(de)(de)(de)(de)UVled燈珠的(de)(de)(de)(de)(de)壽命比玻璃封(feng)裝(zhuang)的(de)(de)(de)(de)(de)UV led短(duan)得多(duo)。

圖2的(de)典型有(you)機材料和(he)無(wu)機材料封裝(zhuang)的(de)UV led常溫降解輻射通量曲線

圖3的典(dian)型有機材料封裝UV led常溫老化后的外觀（左(zuo)336H，右528H）

（4）電氣性能

有(you)機(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao)，例如(ru)有(you)機(ji)(ji)硅膠通常是恒定(ding)量Na+、K+和Cl？包(bao)括等離子(zi)(zi)體，有(you)機(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao)在使用(yong)時或多或少地具有(you)小分(fen)子(zi)(zi)物(wu)(wu)質的(de)(de)(de)釋放(fang)。有(you)機(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao)涂在芯片表面(mian)，如(ru)果有(you)機(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao)內部的(de)(de)(de)離子(zi)(zi)或釋放(fang)的(de)(de)(de)小分(fen)子(zi)(zi)物(wu)(wu)質過(guo)多，會對(dui)芯片的(de)(de)(de)電特性造(zao)成一定(ding)程(cheng)度的(de)(de)(de)損害，例如(ru)芯片的(de)(de)(de)反向泄漏電流的(de)(de)(de)產生和增加(jia)。玻璃上沒有(you)出現這樣(yang)的(de)(de)(de)異(yi)常。

（5）UVled燈珠氣(qi)密性

UVled燈珠(zhu)裝(zhuang)置(zhi)的(de)氣(qi)密(mi)性(xing)(xing)的(de)高(gao)低由封裝(zhuang)材料的(de)透濕透氧(yang)率和封裝(zhuang)過(guo)程等(deng)級等(deng)控制。當封裝(zhuang)材料透濕透氧(yang)率高(gao)時，設備的(de)密(mi)封性(xing)(xing)變(bian)差(cha)，外(wai)部環(huan)境中的(de)有害物質(zhi)通(tong)過(guo)封裝(zhuang)材料容易侵入設備內部，設備失效(xiao)。設備的(de)密(mi)封性(xing)(xing)不好(hao)的(de)話，會發(fa)生(sheng)芯片腐(fu)蝕和鍍銀層硫化發(fa)黑(hei)等(deng)各種可靠性(xing)(xing)問題(ti)。

 有機(ji)封裝(zhuang)材(cai)料透(tou)氧(yang)(yang)透(tou)濕率高于玻璃(li)，例(li)如，甲基硅(gui)膠(jiao)的(de)(de)(de)氧(yang)(yang)透(tou)過率通(tong)常為(wei)20000~30LED封裝(zhuang)公(gong)司(si)cm3/m2×24H×atm，苯(ben)基硅(gui)膠(jiao)一般(ban)(ban)來說300~3000cm3/（m2×24H×atm，一般(ban)(ban)的(de)(de)(de)氣體和(he)水(shui)(shui)可以(yi)滲透(tou)到有機(ji)硅(gui)膠(jiao)內部。玻璃(li)是致密的(de)(de)(de)無機(ji)物，分子間(jian)的(de)(de)(de)間(jian)隙比水(shui)(shui)小，所以(yi)一般(ban)(ban)的(de)(de)(de)氣體和(he)水(shui)(shui)都(dou)不能(neng)透(tou)過玻璃(li)。因此，玻璃(li)可以(yi)比有機(ji)硅(gui)膠(jiao)更(geng)容(rong)易地實現氣密性封裝(zhuang)。

綜上所述，無(wu)機(ji)(ji)材(cai)料的各性能都(dou)優(you)于有(you)機(ji)(ji)材(cai)料。有(you)機(ji)(ji)材(cai)料在性能和可靠性要(yao)求(qiu)低的情(qing)況(kuang)(kuang)下，與(yu)接近紫外波(bo)段UV led芯片(pian)很(hen)好地一致，但是在高(gao)溫高(gao)濕(shi)等惡劣環境下或其他要(yao)求(qiu)高(gao)的情(qing)況(kuang)(kuang)下，應該使(shi)用無(wu)機(ji)(ji)材(cai)料包(bao)裝UVled燈珠。

UVled燈珠(zhu)集成模(mo)塊

如上所(suo)述，當前市售的UVled燈珠集成模塊主要(yao)是COB和(he)DOB這(zhe)兩種。兩個模塊的不同主要(yao)表現在(zai)以(yi)下幾個方面(mian)：一、包類(lei)；二、生產技術(shu)；三(san)、光性(xing)能；四、電氣性(xing)能；五、熱性(xing)能。

（1）包裝項目

在選擇(ze)封裝材(cai)料(liao)時，COB和(he)DOB的(de)主(zhu)要區(qu)別(bie)是芯片和(he)基(ji)(ji)板(ban)。現(xian)在，市場上一般使(shi)用橫結構(gou)芯片COB和(he)垂直結構(gou)芯片COB，但是DOB基(ji)(ji)本上使(shi)用垂直結構(gou)芯片。UV led用于集成(cheng)模(mo)塊的(de)基(ji)(ji)板(ban)主(zhu)要有(you)銅(tong)基(ji)(ji)板(ban)和(he)氮化鋁AlN陶瓷基(ji)(ji)板(ban)兩種。兩個基(ji)(ji)板(ban)的(de)差異出現(xian)在以下幾個方面。

一、價格。氮化(hua)鋁陶(tao)瓷基板比(bi)銅基板還(huan)貴。

二、結構(gou)。銅(tong)基(ji)(ji)板(ban)的(de)(de)(de)結構(gou)是從上到下的(de)(de)(de)電路層(ceng)（銅(tong)層(ceng)）、絕(jue)緣層(ceng)BT樹脂和銅(tong)層(ceng)，氮化(hua)鋁(lv)陶(tao)瓷基(ji)(ji)板(ban)一(yi)(yi)般(ban)是電路層(ceng)和陶(tao)瓷層(ceng)。三、力學特(te)性(xing)。氮化(hua)鋁(lv)陶(tao)瓷脆(cui)性(xing)，在制造和安裝過程(cheng)中容易(yi)發生裂(lie)紋或(huo)破(po)裂(lie)，銅(tong)基(ji)(ji)板(ban)一(yi)(yi)般(ban)不會(hui)發生這樣(yang)的(de)(de)(de)異常。四(si)、熱性(xing)能(neng)。銅(tong)的(de)(de)(de)導熱系數比(bi)氮化(hua)鋁(lv)高(gao)，但是銅(tong)基(ji)(ji)板(ban)內包(bao)含絕(jue)緣層(ceng)，在某種(zhong)程(cheng)度上阻礙芯片的(de)(de)(de)散熱。五、設計的(de)(de)(de)多樣(yang)性(xing)。銅(tong)基(ji)(ji)板(ban)的(de)(de)(de)形狀尺(chi)寸比(bi)陶(tao)瓷基(ji)(ji)板(ban)容易(yi)變(bian)化(hua)。根據(ju)包(bao)裝種(zhong)類的(de)(de)(de)選擇，設備的(de)(de)(de)性(xing)能(neng)和可(ke)靠性(xing)等(deng)有一(yi)(yi)定的(de)(de)(de)差別(bie)。

（2）UVled燈珠熱(re)特性

一般來說，UV led器件(jian)的(de)散(san)(san)熱(re)(re)(re)路(lu)徑(jing)(jing)主(zhu)要有三(san)個：一個芯片-金線(xian)(xian)-線(xian)(xian)路(lu)層(ceng)(ceng)-杯-環(huan)境(jing)；②芯片-外殼橡膠（氣體(ti)或空氣）-透鏡（蓋(gai)板）-環(huan)境(jing)；③芯片腐(fu)蝕63？固晶層(ceng)(ceng)腐(fu)蝕？基(ji)(ji)板腐(fu)蝕？環(huan)境(jing)。與此(ci)相對(dui)，路(lu)徑(jing)(jing)①和②的(de)散(san)(san)熱(re)(re)(re)能(neng)力有限，路(lu)徑(jing)(jing)③是主(zhu)要的(de)散(san)(san)熱(re)(re)(re)路(lu)徑(jing)(jing)。這在(zai)COB和DOB的(de)典型結構(gou)和主(zhu)散(san)(san)熱(re)(re)(re)路(lu)徑(jing)(jing)如圖5中示(shi)出。如上所述，橫向結構(gou)芯片本身(shen)的(de)散(san)(san)熱(re)(re)(re)性能(neng)不好(hao)。因(yin)此(ci)，若比(bi)較使用垂直結構(gou)UV led芯片的(de)COB和DOB的(de)散(san)(san)熱(re)(re)(re)路(lu)徑(jing)(jing)，則DOB在(zai)元件(jian)上增加(jia)薄(bo)的(de)鍍層(ceng)(ceng)和1層(ceng)(ceng)氮化鋁陶瓷2層(ceng)(ceng)，在(zai)基(ji)(ji)板和元件(jian)之間(jian)增加(jia)了1層(ceng)(ceng)焊(han)料層(ceng)(ceng)，但(dan)在(zai)基(ji)(ji)板上絕緣層(ceng)(ceng)減少了1層(ceng)(ceng)導熱(re)(re)(re)系數(shu)表(biao)3所示(shi)。

在(zai)(zai)不考慮擴散熱阻等因素的(de)(de)理想(xiang)狀態(tai)下，對COB和DOB進行了熱阻計算。從表(biao)3可(ke)以看出(chu)，銅基板內的(de)(de)絕緣層(ceng)熱阻太大(da)(da)，所以COB的(de)(de)總熱阻比DOB大(da)(da)得(de)多(duo)(duo)。另一方(fang)面(mian)，在(zai)(zai)DOB中，該焊接(jie)(jie)相(xiang)互連接(jie)(jie)層(ceng)（包括固晶層(ceng)或錫(xi)膏層(ceng)等）占總熱阻的(de)(de)比例(li)較大(da)(da)，在(zai)(zai)相(xiang)互連接(jie)(jie)層(ceng)的(de)(de)焊接(jie)(jie)質(zhi)量不足的(de)(de)情(qing)況(kuang)下，例(li)如焊接(jie)(jie)材料不足、空洞多(duo)(duo)的(de)(de)情(qing)況(kuang)下，對總熱阻的(de)(de)影響更(geng)大(da)(da)。

二、COB的(de)制造(zao)過(guo)程的(de)難易度比DOB大，如果(guo)發(fa)生制造(zao)不(bu)良，例(li)如崩潰線，則整體COB被丟棄，DOB只有某個設備被損失。另外，如果(guo)在使用中光源失效，則只能更換COB整個光源，僅更換DOB已失效的(de)設備。

（4）UVled燈珠光性能

由于(yu)(yu)橫結(jie)構芯(xin)片通(tong)(tong)常使(shi)(shi)用(yong)藍寶石作為基板，所以散熱性能比垂直(zhi)結(jie)構芯(xin)片差(cha)。因此(ci)，垂直(zhi)結(jie)構芯(xin)片可以通(tong)(tong)過最大正向電流(liu)和光功率密度等，而不是橫向結(jie)構芯(xin)片。由于(yu)(yu)使(shi)(shi)用(yong)了(le)橫結(jie)構UVled燈珠(zhu)芯(xin)片的COB限制了(le)芯(xin)片特(te)性，所以在要求(qiu)低功率（幾(ji)十瓦以下(xia)）的情況下(xia)經常使(shi)(shi)用(yong)橫結(jie)構UVled燈珠(zhu)芯(xin)片。

（5）UVled燈珠(zhu)電(dian)性能

現在，UVled燈珠的(de)防(fang)靜電保(bao)(bao)護基本(ben)上以(yi)加(jia)齊納方式實現。因此(ci)，COB無法防(fang)止每個芯片的(de)帶電保(bao)(bao)護DOB。因此(ci)，COB的(de)抗(kang)靜電性遠遠低于DOB。另外(wai)，DOB模塊(kuai)通過基板的(de)線路設計，能夠(gou)實現單個設備的(de)點亮測試和漏電流測試，能夠(gou)容易地進(jin)行失效(xiao)分(fen)析。

（6）UVled燈珠制(zhi)造工序

主要表現在以下兩個方面。一、COB一般(ban)屬于(yu)定制產品，難以實現標(biao)準(zhun)化或大(da)規(gui)模生產，DOB是為了將標(biao)準(zhun)化的大(da)規(gui)模化UV led設備粘(zhan)貼到(dao)基板上。

UVled燈珠從分(fen)立元(yuan)件和集成模(mo)塊(kuai)兩方面(mian)進(jin)行(xing)分(fen)析(xi)討論的結(jie)果表明，無(wu)(wu)機封裝材(cai)料(liao)在透過率UV頻帶、氣密(mi)性、電性、熱性等(deng)許(xu)多方面(mian)比有(you)機封裝材(cai)料(liao)優越(yue)。因此，僅當對(dui)諸如功率和壽命之類的請求較低(di)時(shi)，用有(you)機材(cai)料(liao)封裝的設備(bei)(bei)和模(mo)塊(kuai)才適(shi)合，并且基(ji)于CMH封裝技術的全無(wu)(wu)機UVled燈珠設備(bei)(bei)和模(mo)塊(kuai)可(ke)以適(shi)應打印(yin)行(xing)業的各種情況(kuang)。