led燈珠怎么接?

led小燈珠接(jie)線路：電源正(zheng)負(fu)極(ji)就(jiu)(jiu)是GND和MODE那兩條線，現在控制器輸出有(you)四個(ge)孔(kong)，先看下(xia)那個(ge)帶十號的(de)(de)孔(kong)在這四個(ge)孔(kong)的(de)(de)中間還是邊(bian)上(shang)，如果(guo)在邊(bian)上(shang)那你(ni)就(jiu)(jiu)把三顆LED的(de)(de)正(zheng)極(ji)連在一起接(jie)到這個(ge)孔(kong)上(shang)，三顆LED的(de)(de)負(fu)極(ji)分別接(jie)到另外三個(ge)孔(kong)。

是(shi)否有(you)外(wai)置驅動電源(適(shi)(shi)配(pei)器(qi)(qi)，或(huo)者叫(jiao)鎮流(liu)器(qi)(qi))?如(ru)果有(you)適(shi)(shi)配(pei)器(qi)(qi)，那么隨便拿適(shi)(shi)配(pei)器(qi)(qi)的輸出端(duan)的兩(liang)條線(xian)接到燈上即(ji)可。如(ru)果第(di)一次的接法燈不亮，那對換(huan)一下兩(liang)條線(xian)，燈即(ji)可亮了。即(ji)使第(di)一次接錯也不會影響LED燈。

如果沒有外置驅動(dong)電(dian)源，那就不能(neng)直(zhi)接接AC220V的市電(dian)了。如果你想判(pan)斷正(zheng)負極(ji)，也可以拆(chai)開燈(deng)看看，里面一般會有“+-”標注正(zheng)負極(ji)。

1.買合(he)適的燈(deng)，一般(ban)電動車上的燈(deng)都是12V的，所(suo)以不要(yao)買錯了。

2.找合(he)適的位置，要么(me)替換原先的，要么(me)找個(ge)能裝(zhuang)燈的地方。

3.拆(chai)前蓋，現在的(de)(de)(de)線(xian)路多是集線(xian)，都是各種插口，如(ru)果你想直接用原(yuan)先(xian)的(de)(de)(de)控制，只需要找(zhao)到原(yuan)先(xian)的(de)(de)(de)燈的(de)(de)(de)線(xian)路，把新(xin)燈的(de)(de)(de)電(dian)線(xian)直接插到入口端那里試試能(neng)不(bu)能(neng)亮(liang)就(jiu)好(hao)。

4.注意，LED燈是有正(zheng)反(fan)的，電線接(jie)反(fan)了不亮。

5.如果想做一(yi)個新的(de)(de)開關，就找電(dian)源(yuan)線(xian)的(de)(de)出口(kou)端接(jie)(jie)進去，而不是(shi)原先的(de)(de)燈的(de)(de)入(ru)口(kou)端。注(zhu)意正極(一(yi)般是(shi)紅線(xian))接(jie)(jie)開關，再(zai)從開關接(jie)(jie)到電(dian)源(yuan)線(xian)的(de)(de)接(jie)(jie)口(kou)端。

6.整理(li)好線材，就近扎緊(jin)，不要讓線材亂(luan)跑。

led燈珠照明技術路徑涉及(ji)(ji)外(wai)延、基板、封裝、白光led燈珠的種類等多方(fang)面。紅色(se)、綠色(se)、藍色(se)led燈珠、磷(lin)、砷(shen)(shen)、氮等III？V族由化(hua)(hua)合物、例如(ru)砷(shen)(shen)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)（GaAs）、磷(lin)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)（GaP、磷(lin)砷(shen)(shen)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)（GaAsp）以及(ji)(ji)氮化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)（GaN）等半導體構成。

1、led燈(deng)珠外延(yan)技(ji)術

近10年來(lai)，業界通(tong)過(guo)改善外(wai)延生長工(gong)藝實(shi)現了(le)位錯(cuo)密(mi)度(du)大的(de)(de)改善。但是(shi)，主(zhu)流的(de)(de)白光(guang)照明(ming)用藍色光(guang)led燈(deng)珠的(de)(de)氮化鎵(jia)GaN和(he)基板(ban)間(jian)格子和(he)熱膨脹系(xi)數的(de)(de)不匹配(pei)仍(reng)然(ran)帶來(lai)了(le)高位錯(cuo)密(mi)度(du)。以(yi)前，led燈(deng)珠通(tong)過(guo)研究外(wai)延技(ji)術(shu)最(zui)大限度(du)地降低缺陷密(mi)度(du)，提高結(jie)晶質(zhi)量是(shi)led燈(deng)珠技(ji)術(shu)追求(qiu)的(de)(de)目標。

led燈珠的(de)外(wai)延(yan)(yan)(yan)片(pian)是(shi)(shi)led燈珠的(de)核心(xin)(xin)部(bu)分，led燈珠的(de)波長、正向電(dian)壓、亮度或(huo)發光量等光電(dian)參(can)數基本上(shang)依賴于外(wai)延(yan)(yan)(yan)片(pian)材料。外(wai)延(yan)(yan)(yan)技術和裝置是(shi)(shi)外(wai)延(yan)(yan)(yan)片(pian)制造(zao)技術的(de)關鍵(jian)，金屬(shu)有機物氣相沉積技術MOCVD是(shi)(shi)III？V族,IIVI族和合金薄層結晶(jing)的(de)主要方法。外(wai)延(yan)(yan)(yan)片(pian)的(de)位錯作為非輻(fu)射(she)復合中(zhong)心(xin)(xin)對器件的(de)光電(dian)特性有非常重要的(de)影響。

led燈珠外(wai)延(yan)結構及外(wai)延(yan)技術研究：

①led燈(deng)(deng)珠現有(you)的(de)成(cheng)(cheng)長(chang)技術包括(kuo)多量(liang)子阱(jing)(jing)在(zai)低In成(cheng)(cheng)分的(de)InGaN預(yu)阱(jing)(jing)釋(shi)放應力前(qian)成(cheng)(cheng)長(chang)，作為載體“蓄水池”發(fa)揮作用，為了提高(gao)屏障層的(de)結晶質量(liang)GaN使(shi)阻擋層再升溫成(cheng)(cheng)長(chang)，使(shi)晶格匹(pi)配的(de)InGaAlN阻擋層或(huo)成(cheng)(cheng)長(chang)應力互補的(de)InGaN/AlGaN結構等成(cheng)(cheng)長(chang)。量(liang)子阱(jing)(jing)有(you)源區InGaN/GaN量(liang)子阱(jing)(jing)活動區域是led燈(deng)(deng)珠外延材料的(de)核心，成(cheng)(cheng)長(chang)InGaN量(liang)子阱(jing)(jing)的(de)關鍵是控制量(liang)子阱(jing)(jing)的(de)應力，減少(shao)極化效果的(de)影響。

經過2年的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)發展，led燈珠的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)外延(yan)層結構(gou)和外延(yan)技術相對(dui)成(cheng)熟，led燈珠的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)內量子效(xiao)率達到90%以上，紅(hong)色led燈珠的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)內量子效(xiao)率接近100%。但是(shi)(shi)，在大(da)功(gong)率LED燈珠研究(jiu)中，發現(xian)在稱為(wei)Droop效(xiao)應(ying)(ying)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)大(da)電流(liu)注入下量子效(xiao)率的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)降低是(shi)(shi)顯著的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)。GaN基(ji)led燈珠的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)Droop效(xiao)應(ying)(ying)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)原(yuan)因相對(dui)傾向于運(yun)營(ying)商的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)局部(bu)化、來自活動區域的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)泄漏或溢出以及Auger復合。實驗表明(ming)，使用寬量子阱降低載(zai)流(liu)子密度，優化p型區域的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)電子阻擋層都可以緩解Droop效(xiao)應(ying)(ying)。

led燈珠在(zai)外(wai)延結(jie)構(gou)和(he)外(wai)延技(ji)術研究中的其他(ta)具體技(ji)術如(ru)下：。

①表面粗(cu)糙化技術

led燈(deng)珠外(wai)(wai)延(yan)(yan)表(biao)面粗(cu)糙化相當于(yu)改變出(chu)射(she)角度避免出(chu)射(she)光(guang)全反射(she)，由(you)于(yu)外(wai)(wai)延(yan)(yan)材料的折射(she)率與(yu)封(feng)裝材料不同，所以一部分出(chu)射(she)光(guang)被反射(she)到外(wai)(wai)延(yan)(yan)層(ceng)。在過(guo)程中(zhong)，如果直接處(chu)理外(wai)(wai)延(yan)(yan)表(biao)面，則容易損傷(shang)外(wai)(wai)延(yan)(yan)活性層(ceng)，難以制作透(tou)明電極(ji)，通過(guo)改變外(wai)(wai)延(yan)(yan)層(ceng)的生長條件，能夠(gou)進行表(biao)面粗(cu)糙化。

②基(ji)板剝離技術(shu)

led燈珠藍(lan)寶(bao)石基(ji)板(ban)激(ji)光剝(bo)離(li)(li)技術是GaN基(ji)于同質(zhi)外(wai)延剝(bo)離(li)(li)開發的技術，使用紫(zi)外(wai)線激(ji)光照(zhao)射(she)基(ji)板(ban)，熔解過渡層并剝(bo)離(li)(li)，2003年(nian)OSRAM在該過程中剝(bo)離(li)(li)藍(lan)寶(bao)石，將出(chu)光率(lv)提高(gao)到(dao)75%，是以往的3倍，作為(wei)生產線形(xing)成(cheng)。

 ③led燈珠根據觸發(fa)器(qi)技術美國(guo)Lumileds公(gong)司的數據，藍(lan)寶石基板的led燈珠增加(jia)了約(yue)1.6倍(bei)的出光率。

④led燈(deng)珠(zhu)全(quan)方位反射(she)膜(mo)盡可能使出光(guang)(guang)正(zheng)面(mian)以(yi)外的(de)表面(mian)的(de)出光(guang)(guang)返回到(dao)外延(yan)層內(nei)，最終提高從(cong)正(zheng)面(mian)的(de)出光(guang)(guang)率(lv)。

⑤led燈(deng)珠二維光子晶體(ti)的微(wei)觀結構提高(gao)(gao)了(le)出光效(xiao)率(lv)，2003年9月日本松下(xia)電器制(zhi)作了(le)直徑(jing)1.5微(wei)米(mi)(mi)，高(gao)(gao)度0.5微(wei)米(mi)(mi)的凹凸光子晶體(ti)led燈(deng)珠，使出光率(lv)提高(gao)(gao)了(le)60%。

2、基板技術

led燈珠經(jing)常(chang)使用的(de)芯片基(ji)板(ban)技(ji)術路徑(jing)主要(yao)有藍寶石基(ji)板(ban)、碳(tan)化硅基(ji)板(ban)、硅基(ji)板(ban)3種，還有正在開發中(zhong)的(de)氮化鎵(jia)、氧化鋅等。對基(ji)板(ban)材(cai)料提出要(yao)求：

①led燈(deng)珠基(ji)板(ban)與外(wai)延膜(mo)(mo)層的(de)化學(xue)(xue)穩(wen)(wen)定性一(yi)致，基(ji)板(ban)材料具有良好的(de)化學(xue)(xue)穩(wen)(wen)定性，在外(wai)延生(sheng)長溫度和(he)氣(qi)氛中難以分解和(he)腐蝕，不與外(wai)延膜(mo)(mo)發生(sheng)化學(xue)(xue)反應而降低(di)外(wai)延膜(mo)(mo)的(de)質量。

②led燈珠基板與外延膜(mo)層的(de)熱(re)膨(peng)(peng)脹系數(shu)(shu)一致(zhi)，如果熱(re)膨(peng)(peng)脹系數(shu)(shu)的(de)差太大，則外延膜(mo)的(de)生長(chang)質(zhi)量(liang)降低(di)，在元(yuan)件(jian)的(de)動作(zuo)中有可能造成發熱(re)引起(qi)的(de)元(yuan)件(jian)損傷。

③led燈珠(zhu)基板與外延膜(mo)層的結(jie)構一致，若兩者的材料的晶(jing)體結(jie)構相同(tong)或接近，則晶(jing)格常數的失配小(xiao)，結(jie)晶(jing)性好，缺(que)陷密度低。

我(wo)國led燈珠(zhu)硅基(ji)板(ban)技術(shu)目前(qian)已經突破技術(shu)，正在努力發展大規模的(de)(de)產業(ye)化(hua)應用。目前(qian)，用于(yu)商(shang)品化(hua)GaN基(ji)led燈珠(zhu)的(de)(de)基(ji)板(ban)僅是藍寶石和碳(tan)化(hua)硅基(ji)板(ban)。可用于(yu)其他(ta)GaN基(ji)led燈珠(zhu)的(de)(de)基(ji)板(ban)材料(liao)是距離產業(ye)化(hua)相(xiang)當(dang)遠的(de)(de)GaN同模基(ji)板(ban)、ZnO基(ji)板(ban)。