uvc-led和(he)紫外線的區別?

1、發光(guang)介質不(bu)同

深(shen)紫外UVC-LED消(xiao)毒包的(de)發光介質是采用(yong)LED燈珠(zhu)，而紫外線(xian)燈利(li)用(yong)汞燈發出的(de)紫外線(xian)來實現殺菌消(xiao)毒功能。

2、環保(bao)性不同

紫(zi)(zi)外(wai)線(xian)汞(gong)燈(deng)就是水(shui)銀(yin)燈(deng)，水(shui)銀(yin)是有(you)劇毒的，一旦汞(gong)燈(deng)破(po)裂、水(shui)銀(yin)泄(xie)露對(dui)人體(ti)以(yi)(yi)及環(huan)境都有(you)很(hen)嚴重的危害，而(er)且(qie)我國已經簽署了《水(shui)俁公約》，從(cong)2020年以(yi)(yi)后(hou)全面禁汞(gong)，含汞(gong)類(lei)的產品都不允許生產以(yi)(yi)及銷(xiao)售(shou)了，這也可以(yi)(yi)看出來國家對(dui)于汞(gong)燈(deng)的態度(du)了。而(er)深(shen)紫(zi)(zi)外(wai)UVC-LED消毒包采(cai)用(yong)的LED燈(deng)珠具(ju)有(you)電功耗小、啟動快、壽命長、體(ti)積小、殺菌消毒效果好等優點，關鍵UVC-LED在使用(yong)過程中不會產生二次污染、環(huan)保性能高，因此，UVC-LED正被(bei)更多的消費者青睞(lai)，深(shen)紫(zi)(zi)外(wai)UVC-LED消毒是替代(dai)傳統紫(zi)(zi)外(wai)線(xian)汞(gong)燈(deng)不可多得的新(xin)型(xing)殺菌方式。

3、消(xiao)毒殺菌所需時間不同

深紫外UVC-LED殺(sha)菌(jun)消(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)毒包配(pei)備(bei)的大功率燈(deng)珠，在(zai)密閉(bi)的小(xiao)空間(jian)中(zhong)，消(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)殺(sha)時(shi)間(jian)一(yi)般在(zai)十幾秒(miao)到(dao)(dao)三五(wu)分鐘(zhong)(zhong)，就可(ke)以(yi)(yi)消(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)滅(mie)多種常見(jian)致病菌(jun)，再者，由于UVC-LED燈(deng)珠體(ti)積(ji)小(xiao)，消(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)毒包對于電源線適配(pei)性(xing)要求低，普通的充(chong)電寶就能(neng)(neng)開啟，戶外或差旅通勤都能(neng)(neng)使用，日(ri)常便攜性(xing)高(gao)。而紫外線汞(gong)燈(deng)所需(xu)消(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)殺(sha)時(shi)間(jian)一(yi)般在(zai)十幾分鐘(zhong)(zhong)到(dao)(dao)半個小(xiao)時(shi)以(yi)(yi)上(shang)，才能(neng)(neng)達到(dao)(dao)很好(hao)的殺(sha)菌(jun)效果，但是(shi)汞(gong)燈(deng)因其高(gao)壓會產(chan)生(sheng)臭氧、耗電量大、殺(sha)菌(jun)時(shi)間(jian)長、設備(bei)笨重等原因，限制了在(zai)日(ri)常使用的范(fan)圍(wei)，也終將被歷史淘汰(tai)。

現階段使(shi)用(yong)AlGaN資料(liao)led燈(deng)珠(zhu)的外部量子功(gong)率(lv)EQE一般不到(dao)10%，因此美國方面的研究人(ren)員使(shi)用(yong)納米陣列的共同構造打破了這(zhe)個功(gong)率(lv)瓶(ping)頸(jing)。

研究人員認為，這種(zhong)AlGaN陣列結構可以(yi)通過橫向磁（TM）偏振效(xiao)應(ying)沿平面(mian)傳輸(shu)光，以(yi)抑制光子的激(ji)發，從(cong)而(er)克服了鋁占有率高(gao)AlGaN下光水平傳輸(shu)的負面(mian)影(ying)響。另(ling)一方(fang)面(mian)，根據研究人員的估計(ji)，納(na)米陣列結構可以(yi)至少添加70%的光提取功率。

納米為了準確生長陣列晶(jing)體，研究人(ren)員選擇(ze)選擇(ze)性區(qu)域外延生長技能(neng)。

選擇性成長是基于C平面上(shang)的(de)GaN基藍寶(bao)石襯(chen)底上(shang)的(de)分子束外延(yan)成長技(ji)能MBE成長的(de)。

金(jin)屬(shu)模具外觀(guan)氮滲透(tou)處理后，GaN納(na)米(mi)(mi)陣(zhen)列(lie)基板(ban)在(zai)995°C的(de)環(huan)境中開始成長，其(qi)上部的(de)AlGaN在(zai)935-1025°C的(de)環(huan)境中持續成長。納(na)米(mi)(mi)在(zai)陣(zhen)列(lie)上部選擇了富(fu)鋁(lv)處理。

研究人員(yuan)使用光(guang)致發光(guang)（pL）曲線進(jin)行縮放，不同共享的(de)AlGaN光(guang)譜規模為210？327nm。另一方面，對(dui)于280nm的(de)深(shen)紫外(wai)LED，其納米(mi)陣列(lie)由厚度為300nm的(de)n型(xing)GaN、80nm的(de)n型(xing)Al0構成.64Ga0。36N、未摻雜Al0.48Ga0。52N及60nm的(de)p型(xing)Al0.64Ga0。36N。

該(gai)結構的(de)(de)光致發光光譜為283nm，總線寬(kuan)為11nm。與不同溫(wen)度的(de)(de)pL曲(qu)線相(xiang)比，其(qi)內部(bu)量子功率IQE在(zai)室溫(wen)環境(jing)下約為45%。

50 x 50μm2大小的器材(cai)的開(kai)放電(dian)壓(ya)為4.4V，5V電(dian)流密度達到100A/Cm2。該特性遠比以往的量子阱(jing)AlGaNLED高(gao)。

在(zai)(zai)波(bo)長(chang)279nm的情況下，伴(ban)隨著電(dian)流(liu)的添(tian)加(jia)，存在(zai)(zai)更細微的藍移現象(xiang)，規模從279.6nm（50A/Cm2）到(dao)278.9nm（252A/Cm2）。

與此同時，估計所(suo)有(you)輸(shu)出功率(lv)為0.93W/Cm2，電流密度(du)達到252A/Cm2。然而，在這種條件下，光效率(lv)距離為10%的(de)方針是有(you)距離的(de)。

理論(lun)上，總輸出功(gong)率(lv)可以通過優(you)化納米陣列(lie)的尺度和距離(li)來增強光(guang)提(ti)取功(gong)率(lv)。另外，器材的功(gong)能也可以采用踏實(shi)接合等結構(gou)來有(you)效地提(ti)高。