大家好我(wo)是小編一(yi)夢(meng)今天我(wo)們(men)來介紹led燈珠(zhu)生(sheng)(sheng)產硅片 led燈珠(zhu)怎么生(sheng)(sheng)產的的問題，以下就是一(yi)夢(meng)對此問題和相關問題的歸納(na)整理,一(yi)起來看看吧。

文章目錄導航:

• 1、硅片制造全過程
• 2、led燈珠是怎樣生產出來的
• 3、為什么led支架是是大多用銅來做的而基板是大多用鋁的封裝膠水的透光率折射率弄的不太懂跪答
• 4、led燈半導體材料如何生產
• 5、外延片工藝流程

硅片制造全過程

硅片的等級:

MG-Si → SeG-Si → SoG-Si

提(ti)煉要經過一下過程(cheng):

石英砂(sha)→冶金(jin)級硅(gui)→提煉(lian)和精(jing)煉(lian)→沉積多晶硅(gui)錠→單晶硅(gui)→硅(gui)片切割。

冶金級硅MG-Si

提(ti)煉(lian)硅的(de)原(yuan)始材(cai)料是SiO2，主要是砂成分，目前采用SiO2的(de)結(jie)晶巖即(ji)石灰巖，在(zai)大型的(de)電弧爐中用碳(tan)還原(yuan):SiO2+2C→Si+2CO

定期倒出(chu)爐，用氧氣、氧氯混合氣體提純，然(ran)后(hou)倒入淺槽(cao)在槽(cao)中凝固，隨后(hou)被搗成塊狀(zhuang)。

MG-Si提純(chun)為(wei)SeG-Si

提煉標準方法為:西門子(zi)工。

MG-Si被轉變為揮發性的化合物，接著(zhu)采用分餾的方法將其冷凝(ning)被提(ti)純。

工藝程序:用Hcl把細碎的(de)MG-Si變成流體

使用催化劑加速(su)反應進(jin)行:Si+3Hcl→SiHcl3+H2

MG-Si →SiHcl3 硅膠工業原材料

為提取MG-Si可加(jia)熱(re)混合氣體(ti)使SiHcl3 被(bei)H2還原，硅(gui)以(yi)細晶粒(li)的(de)多晶硅(gui)形成沉積(ji)到(dao)電加(jia)熱(re)棒上如(ru)右(you):SiHcl3+H2 →Si+3Hcl

SeG-Si提純到SoG-Si

將SeG-Si多(duo)晶(jing)硅熔融，同時(shi)加入器(qi)件所需的微量參雜劑(ji)，通(tong)常采用(yong)硼（P型參雜劑(ji)）。

在溫度可以精細控制的情況下用籽晶能夠成熔融(rong)的硅(gui)中拉出大圓(yuan)柱形的單(dan)晶硅(gui)棒。直徑過125cm長度為12m。

led燈珠是怎樣生產出來的

LED燈(deng)珠的(de)(de)(de)(de)整個生(sheng)產(chan)(chan)過(guo)程，分為外(wai)延片(pian)生(sheng)產(chan)(chan)、芯片(pian)生(sheng)產(chan)(chan)、燈(deng)珠封裝，整個過(guo)程體現了現代電子(zi)工(gong)業制造(zao)技術水平，LED的(de)(de)(de)(de)制造(zao)是(shi)集多(duo)種技術的(de)(de)(de)(de)融合，是(shi)高技術含(han)量的(de)(de)(de)(de)產(chan)(chan)品，對于照(zhao)明用途的(de)(de)(de)(de)LED的(de)(de)(de)(de)知識掌握也(ye)需(xu)要了解LED燈(deng)珠是(shi)如何生(sheng)產(chan)(chan)出(chu)來的(de)(de)(de)(de)。

1、LED外延片生產過程：

LED外延片生長技術主要采(cai)用有機金屬化(hua)學(xue)相沉積(ji)方法（MOCVD）生產(chan)的具有半(ban)導體特性的合成材料(liao)(liao)，是制造LED芯片的原材料(liao)(liao)

2、LED芯片生產過程：

LED芯片是采用外延片制造的，是提供LED燈珠(zhu)封裝的器件，是LED燈珠(zhu)品質的關鍵。

3、LED燈珠生產過程：

LED燈(deng)珠的封(feng)裝是根據LED燈(deng)珠的用(yong)途要求，把芯片(pian)封(feng)裝在相應(ying)的支架上來完成LED燈(deng)珠的制造過程，LED封(feng)裝決(jue)定LED燈(deng)珠性價比，是LED燈(deng)具產品的品質關鍵，

為什么led支架是是大多用銅來做的而基板是大多用鋁的封裝膠水的透光率折射率弄的不太懂跪答

LED發(fa)光管是一種電致發(fa)光的(de)半(ban)導體(ti)材料，發(fa)光體(ti)本身就是一枚小小的(de)硅片。

在(zai)高度(du)清潔的(de)(de)工廠制做好的(de)(de)發光(guang)(guang)硅片(pian)不能直接暴露在(zai)空氣(qi)中(zhong)使用，否則大氣(qi)中(zhong)的(de)(de)水汽(qi)、塵埃會(hui)很快(kuai)侵蝕硅片(pian)，使其損(sun)壞。所以(yi)必須用一種密致(zhi)的(de)(de)透光(guang)(guang)膠將(jiang)發光(guang)(guang)硅片(pian)包(bao)裹起來。

為了保證(zheng)既密(mi)封又透光(guang)，對封裝(zhuang)膠水的透光(guang)率（包(bao)括折射率）都有一定的要(yao)(yao)求，比如要(yao)(yao)求透光(guang)率不小于98%。98%的透光(guang)率，表示硅片發出的所有光(guang)亮，至少有98%可以穿過(guo)封裝(zhuang)膠，剩下2%被封裝(zhuang)膠損耗。

LED發光(guang)管工作時，只有約30%的(de)電能轉化為(wei)了(le)光(guang)能，剩(sheng)下的(de)都變(bian)成了(le)熱(re)(re)能損失掉。這(zhe)些(xie)熱(re)(re)能必須及時散發出去，否則會導致(zhi)硅片嚴重發熱(re)(re)影響正常(chang)工作。把LED的(de)基板和支架使用導熱(re)(re)性能良好的(de)銅、鋁，可(ke)以很好散熱(re)(re)。

led燈半導體材料如何生產

LED燈5大制作(zuo)材料：晶片，支架，銀(yin)膠，金線，環氧樹脂(zhi)。

一、晶片

晶片(pian)(pian)的構成：由(you)金墊，P極(ji)，N極(ji)，PN結，背金層構成(雙(shuang)pad晶片(pian)(pian)無背金層)。晶片(pian)(pian)是由(you)P層半導(dao)體元素，N層半導(dao)體元素靠電子移(yi)動而重新(xin)排列組(zu)合成的PN結合體。也(ye)正是這種(zhong)變(bian)化使晶片(pian)(pian)能夠(gou)處于一(yi)個相對穩定的狀態(tai)。

在晶(jing)片被一(yi)定的(de)(de)(de)電壓施(shi)加正(zheng)向電極(ji)時，正(zheng)向P區(qu)的(de)(de)(de)空穴(xue)則會源源不斷的(de)(de)(de)游向N區(qu)，N區(qu)的(de)(de)(de)電子(zi)則會相(xiang)對于孔穴(xue)向P區(qu)運動。在電子(zi)，空穴(xue)相(xiang)對移動的(de)(de)(de)同時，電子(zi)空穴(xue)互相(xiang)結(jie)對，激(ji)發出光子(zi)，產生光能(neng)。

主要(yao)分(fen)類，表(biao)面發(fa)(fa)光型： 光線(xian)大部分(fen)從晶片表(biao)面發(fa)(fa)出。五(wu)面發(fa)(fa)光型： 表(biao)面，側面都有較多的光線(xian)射出按發(fa)(fa)光顏色分(fen)，紅，橙，黃(huang)，黃(huang)綠(lv)，純綠(lv)，標準綠(lv)，藍綠(lv)， 藍。

二、支架

支架的(de)結構1層是鐵，2層鍍(du)銅(導電性好，散熱快)，3層鍍(du)鎳(nie)(防氧(yang)化)，4層鍍(du)銀(yin)(反(fan)光性好，易焊(han)線)

三、銀膠(因種類較多，我們依H20E為例)

也叫白(bai)膠，乳白(bai)色，導通(tong)粘合作用(烘烤溫度為：100°C/1.5H)銀粉(導電，散熱，固(gu)定(ding)晶片)+環氧樹脂(固(gu)化銀粉)+稀釋劑(易于攪拌)。

四(si)、金線(xian)(依φ1.0mil為例)

LED所用到的(de)金線(xian)有φ1.0mil、 φ1.2mil，金線(xian)的(de)材(cai)質(zhi)，LED用金線(xian)的(de)材(cai)質(zhi)一(yi)般(ban)含(han)金量為99.9%，金線(xian)的(de)用途

利用(yong)其含金(jin)量高材質較軟、易變形(xing)且導電(dian)性好(hao)、散熱(re)性好(hao)的特性，讓晶片與支架間形(xing)成(cheng)一閉合電(dian)路(lu)。

五、環(huan)氧樹脂(以EP400為例)

組成：A、B兩組劑份。

A膠：是主劑，由(you)環氧(yang)樹脂+消泡劑+耐熱(re)劑+稀(xi)釋劑。

B劑(ji)：是(shi)固化劑(ji)，由酸酣+離模劑(ji)+促進劑(ji)。

外延片工藝流程

外延是半導體工藝(yi)(yi)當中的一種。在(zai)(zai)bipolar工藝(yi)(yi)中，硅(gui)(gui)片最(zui)底層是P型襯(chen)底硅(gui)(gui)（有(you)的加點(dian)埋層）然(ran)后在(zai)(zai)襯(chen)底上生(sheng)長一層單晶硅(gui)(gui)，這層單晶硅(gui)(gui)稱為外延層再后來(lai)在(zai)(zai)外延層上注入基區、發射區等等。

最后基本形成縱向NPN管結構：外(wai)延(yan)(yan)層在(zai)其中(zhong)是集電區(qu)，外(wai)延(yan)(yan)上面有(you)基區(qu)和發(fa)射(she)區(qu)。外(wai)延(yan)(yan)片(pian)(pian)就是在(zai)襯底上做(zuo)(zuo)(zuo)好外(wai)延(yan)(yan)層的(de)硅片(pian)(pian)。因有(you)些廠只做(zuo)(zuo)(zuo)外(wai)延(yan)(yan)之(zhi)后的(de)工藝生產，所以他們買別(bie)人做(zuo)(zuo)(zuo)好外(wai)延(yan)(yan)工藝的(de)外(wai)延(yan)(yan)片(pian)(pian)來接(jie)著做(zuo)(zuo)(zuo)后續(xu)工藝。

以(yi)上(shang)就是天成小(xiao)編對(dui)于led燈(deng)珠生(sheng)產硅(gui)片 led燈(deng)珠怎么生(sheng)產的問題(ti)和相關問題(ti)的解答(da)了，希望對(dui)你有(you)用(yong) 【責任編輯：一夢】